Оперативная память SO-DIMM Team Group TED32G1333C9-S01
Информация о товаре
faq
Технические характеристики
Оперативная память SO-DIMM Team Group TED32G1333C9-S01
Оперативная память SO-DIMM Team Group TED32G1333C9-S01
Тайминги
Activate to Precharge Delay (tRAS)
24
CAS Latency (CL)
9
RAS to CAS Delay (tRCD)
9
Row Precharge Delay (tRP)
9
Основные характеристики
Буферизованная (Registered)
нет
Напряжение питания
1.5
Низкопрофильная (Low Profile)
нет
Поддержка ECC
нет
Тактовая частота
1333
Объем
1 модуль 2 Гб
Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
SODIMM 204-контактный
Пропускная способность
10660 Мб/с